10月12日，中國一冶中標(biāo)--國家存儲器基地項目（一期）長江未來館工程。
國家存儲器基地項目（一期）長江未來館工程位于武漢光谷未來科技城內(nèi)，場地北側(cè)為三湖街路，東側(cè)為未來三路，西側(cè)為未來二路，南側(cè)為科技五路。中國一冶施工內(nèi)容主要為有長江未來館施工圖所示的土建工程、室外工程、大臨設(shè)施、機電工程、消防工程、精裝修等所有項目及外部連廊。工程主體為五層鋼筋混凝土框架結(jié)構(gòu)，屋面為鋼架屋面，建筑占地面積18868平方米，建筑面積66898平方米。使用功能包括停車、運動健身及生活娛樂。
國家存儲器基地項目以芯片制造環(huán)節(jié)為突破口，集存儲器產(chǎn)品設(shè)計、技術(shù)研發(fā)、晶圓生產(chǎn)與測試、銷售于一體，建成后，將帶動設(shè)計、封裝、制造、應(yīng)用等芯片產(chǎn)業(yè)相關(guān)環(huán)節(jié)的發(fā)展，總產(chǎn)能將達到每月30萬片，年產(chǎn)值將超過100億美元，標(biāo)志著芯片國產(chǎn)化之路將邁出可靠而重要的一步。
